Hochauflösende Elektronenspektroskopie an- Si-, Ge- und GaAs-Oberflächen

Froitzheim, H.

Book/Report

FZJ-2018-00396

Hochauflösende Elektronenspektroskopie an- Si-, Ge- und GaAs-Oberflächen

Froitzheim, H. (Corresponding author)FZJ*

1975
Kernforschungsanlage Jülich, Verlag Jülich

Jülich : Kernforschungsanlage Jülich, Verlag, Berichte der Kernforschungsanlage Jülich 1179, 57, [21] p. (1975)

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/16535

Report No.: Juel-1179

Abstract: Theoretische Uberlegungen in der Festkörperphysik gehen häufig vom unendlich ausgedehnten Gitter aus. Reale Kristalle jedoch besitzen Oberflächen. Allein aus dem Abbruch der Periodizität des Kristallpotentials an der Oberfläche läßt sich die Existenz von elektronischen Zuständen ableiten$^{1,2)}$, die an der Oberfläche lokalisiert sind. Eine solche ideale Oberfläche tritt aber wahrscheinlich nie auf, sondern Deformationen der obersten Atomlagen, Uberstruktur, Domänen und mehr oder weniger geordnete Adsorbate bestimmen in der Regel das Spektrum der Oberflächenzustände$^{3-6)}$. Während bis vor wenigen Jahren die Eigenschaften der Oberfläche fast ausschließlich mit elektrischen und optischen Methoden untersucht wurden, gewinnt heute die Streuung von Elektronen, Ionen und Molekülen an der Oberfläche zunehmend an Bedeutung. Sie liefert oft direktere Informationen. Es lassen sich mit ihr leicht größere Spektralbereiche durchfahren, und wegen der starken Wechselwirkung dieser Teilchen mit Materie ist sie bezüglich der Oberfläche im allgemeinen sensitiver als optische Methoden. Oftmals treten Volumeneffekte überhaupt nicht in Erscheinung oder sind vernachlässigbar klein. Außerdem bietet sie eher Möglichkeiten zur Klärung von Strukturfragen$^{7- 10)}$ und erleichtert damit das Studium der Wechselbeziehungen zwischen räumlicher und elektronischer Struktur an der Oberfläche. Die vorliegende Arbeit soll einen Überblick geben über den Stand der hochauflösenden Elektronenspektroskopie und der damit gewonnenen experimentellen Ergebnisse an Si-, Ge- und GaAs-Spaltflächen.

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